半导体材料龙头通美晶体拟登陆科创板

市占率位居全球前列

通美晶体招股书显示，公司是一家全球知名的半导体材料科技企业，主要从事磷化铟衬底、砷化镓衬底、锗衬底、PBN材料（热解氮化硼）及其他高纯材料的研发、生产和销售。

据了解，磷化铟衬底、砷化镓衬底、锗衬底产品可用于生产射频器件、光模块、LED（Mini LED及Micro LED）、激光器、探测器、传感器、太空太阳能电池等器件，在5G通信、数据中心、新一代显示、人工智能、无人驾驶、可穿戴设备、航天等领域具有广阔的应用空间。PBN材料及其他高纯材料产品从源头上保障了半导体衬底上游材料的高品质供应，同时在化合物半导体、半导体设备、OLED、LED等产业有广泛的应用。

通美晶体客户广泛，包括Osram、meta、Qorvo、IPG、Skyworks、Broadcom、三安光电等专业的外延厂商、代工厂商、芯片及器件厂商。通美晶体表示，公司是全球范围内少数掌握8英寸砷化镓衬底及6英寸磷化铟衬底生产技术的企业之一，与主要竞争对手Sumitomo、日本JX、Freiberger同处于全球III-V族化合物半导体材料行业第一梯队，未来随着半导体产业链逐步向中国大陆转移，以及境内5G通信、数据中心、新一代显示等下游产业的不断成熟，公司有望在新一轮产业周期中把握新兴市场发展机遇，成为全球III-V族化合物半导体衬底材料的龙头企业。

根据国际知名行业咨询机构Yole统计，2020年通美晶体在磷化铟衬底市场的全球市场占有率为36%，仅次于占比42%的Sumitomo，位居全球第二。2019年通美晶体在砷化镓衬底市场的全球市场占有率为13%，位居全球第四。

拥有完整独立技术体系

通美晶体表示，公司形成了深厚的技术积累和工艺积淀，已掌握了砷化镓多晶合成、半绝缘砷化镓单晶垂直梯度冷凝法生长与碳掺杂控制、半导型砷化镓单晶垂直梯度冷凝法生长和均匀掺杂控制、高质量锗单晶垂直梯度冷凝法生长和掺杂控制、高质量磷化铟单晶垂直梯度冷凝法生长和掺杂控制、纵向温度梯度部分结晶、热解氮化硼化学气相沉积等核心技术。在全球III-V族化合物半导体材料行业内，公司已拥有了完整、独立的技术体系。