SiC功率器件缘何深受热捧 这一点很关键

功率器件行业发展到IGBT(绝缘层栅双极晶体三极管)阶段，硅基器件的性能早已贴近极限，边际效益愈来愈高，而半导体材料器件产业链仍对大功率、高频率转换、高温实际操作、高功率等拥有愈来愈多的要求，因而以SiC(碳碳复合材料)、GaN(氮化镓)等第三代半导体器件为关键的宽禁带功率器件变成了科学研究网络热点与新发展前景，并逐渐进到运用批量生产环节。

SiC功率器件性能优点

SiC功率半导体的发展趋势改进了输出功率电源开关器件的硬电源开关特点，抗压可以达到数十万伏，耐高温可以达到500℃之上。

性能优点：

(1)宽禁带可大幅度减少漏电流，进而降低高功率器件耗损;

(2)高击穿场强可提升功率器件抗压工作能力与电流强度，减少总体规格;

(3)高导热系数可改进耐热工作能力，有利于器件排热，减少降温设备容积，提升处理速度，提升功率;

(4)强防辐射工作能力，更合适在外星球等辐照度标准下运用。理论上，SiC器件是完成高压、高温、高频率、大功率及防辐射紧密结合的理想化原材料，关键运用于功率大的场所，可完成控制模块及软件系统的微型化、一体化，提升功率和系统软件高效率。

SiC功率器件的核心技术

碳碳复合材料半导体功率器件的生产制作产业链涉及到內容整体上分成五个部分，即衬底、外延、器件、封裝、系统应用，且全产业链涉及到较多的阶段，如芯片加工、程序模块设计等。相对性于传统式的硅基应用技术，碳碳复合材料半导体功率器件生产制造中在关键因素拥有较多的挑战。

衬底和外延

衬底是功率器件的基本，因为现阶段Si基功率器件生产厂商的绝大多数生产流水线适用4英寸之上的圆晶，因而4、6英寸及之上SiC衬底技术性的完善是SiC功率器件在全部关键行业规模性运用的必要条件。