高磁导率铁氧体磁心阻抗特性探讨

随着电子产品日趋小型化、轻量化、薄片化，整机使用的电感器、滤波器、扼流圈和脉冲变压器等器件引起的电磁干扰（EMI）问题日趋严重，且在电磁兼容（EMC）领域，用作抑制电磁干扰的共模扼流圈等元器件得以迅速发展，因而软磁铁氧体高μi材料的需求量不断扩大，加之汽车电子领域的充电桩、通信领域的无线充电等多项应用，对高μi材料性能有了更高要求。
过去人们重点致力于不断提高高μi材料的初始磁导率，但随着电子技术的不断进步，用户对高μi材料的各项稳定性指标提出了更高要求，如：随着频率的增高，磁导率衰减较低（μi-F特性）、阻抗降低较少（|z|-F特性）、比损耗系数较低（tanδ/μi）、在宽温下磁导率更稳（μi-T特性）、磁导率减落系数要小（DF）及谐波失真（THD）更低等。为了在产业化生产中实现这一目标，这就需要深入了解相关的基础理论，重视制造技术各个工艺细节，本文试图就此做些粗浅探讨。





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