变压器－电感磁件仿真模型的进一步研究

当前，基于磁路对偶方法建立磁性器件数学模型的方法可分为两类，即磁路—电路对偶等效模型和回转器—电容等效电路模型。在这两类模型中，前者不能反映磁路参数，而后者虽然能够反映磁件的电路与磁路特性，但由于是用电容模拟的磁导，这样就很容易与高频情况下电容模拟的寄生电容发生概念上的混淆。因而本文选择对一种新提出的变压器－电感仿真模型（Transformer and Inductor，简称T－I）进行研究，这种模型既利用了磁路—电路对偶变换方法，能完整地反映磁件的电路与磁路特性的磁件模型，又可以方便的加入反映寄生效应的参数。文中利用磁路对偶方法对于T-I模型中磁件磁滞效应、饱和效应的模拟进行了重新的建模和理论推导。