极低功耗等优势助推FRAM在智能水/气表中崭露头角

时间:2022-03-15作者:佚名

在计量仪表行业,水表/气表目前仍是不同于电表的一个“蓝海”市场,对成本的敏感度远低于对功耗的敏感度,正是因为这一特点,使得FRAM这一无电池存储技术在无论是通信单元(中继)还是计量单元都得到越来越多的应用。

而在深圳最近举办的2015智能水/气计量及管网执行力论坛(WATER*GAS METERING China2015)上,富士通半导体的展台人头攒动,业界对这一新型存储技术的关注可见一斑,FRAM在电表领域的成功很快将延伸到一颗电池要用10-15年的水/气表中,甚至有过之而无不及。

富士通半导体FRAM产品中国市场负责人、市场部高级经理蔡振宇进一步分析了个中因素:相比电表的智能化程度,水表/气表的电子化和智能化还属于刚刚起步,因此市场空间巨大,特别是为建设节水型社会,国家相关部门已明确提出用水要全面实施阶梯收费,水表改造的推进实现将快速推动数据存储等电子元件在水表/气表中的应用;另外,人口红利消失和劳动力成本不断上升正推动远程抄表系统的部署,水表/气表的智能化程度必须也正在不断提到,这也会带动存储器的应用,特别是读写寿命长、功耗极低有利于延长电池使用寿命的FRAM将有极大的用武之地。

富士通半导体作为此次论坛的重要赞助商,除了展出非常适合水表/气表及工业应用的FRAM产品方案和演示板、最新的功率及信号继电器产品系列之外,还在论坛上做了题为“富士通铁电在流量计中的应用”的精彩演讲,深入分析了FRAM相对EEPROM、Flash的优势和应用案例。

颠覆对非易失性存储器的认知

作为非易失性存储器,FRAM具有接近SRAM和DRAM这些传统易失性存储器的级别的高速写入速度,读写周期是传统非易失性存储器的1/30,000,但读写耐久性却是后者的1,000万倍,达到了10万亿次,可实现高频繁的数据纪录 (实时的记录)。

“相当于可以从唐朝写到现在!”蔡振宇在演讲中这样形象地描述FRAM的读写耐久性,若按5ms一次读写频率来计算,达到10万亿次花费的时间是1,585年。EEPROM只有100万次读写寿命,若按此读写频率,1个半小时就会报废,更别说只有10万次读写寿命的Flash了。另外,FRAM的数据保持时间也极长,在85℃环境下,可以达到至少10年。

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