Qualcomm推出下一代快速充电技术Quick Charge 3.0

Qualcomm Incorporated宣布，其子公司Qualcomm Technologies, Inc. 现已推出下一代快速充电技术Qualcomm® Quick Charge™ 3.0。作为快速充电技术的第三代产品，Quick Charge 3.0在同类产品中首次采用最佳电压智能协商(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，INOV)算法。INOV是由Qualcomm Technologies开发的全新算法，旨在帮助便携设备具备选定所需功率电平的能力，以在任意时刻实现最佳功率传输，且最大化效率。Quick Charge 3.0能在大约35分钟内将一部典型的手机从零电量充电至80%，而不具备Quick Charge的传统移动终端通常需要大致一个半小时的时间。

借助INOV 和其他先进技术的Quick Charge 3.0，可实现比Quick Charge 2.0最高达38%的效率提升，同时还采用其他方法帮助保护电池寿命周期。此外，当与Qualcomm Technologies最新的、先进并联充电配置一起使用时，Quick Charge 3.0可以实现：

· 与Quick Charge 2.0相比，帮助提高快速充电速度最高达27%，或减少功率损耗最高达45%

· 比Quick Charge 1.0快2倍的充电速度

Quick Charge 3.0现已正式推出，并将在部分Qualcomm® 骁龙™处理器中以选配形式提供，包括骁龙820、620、618、617和430处理器;搭载这一技术的移动终端预计将于明年上市。Qualcomm骁龙处理器是Qualcomm Technologies, Inc.的产品。