科学家开发出全球最小最亮的深紫外LED，芯片尺寸仅为5微米
时间：2021-05-23作者：佚名
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据悉，在本世纪初，南卡罗来纳大学的研究院队就开始研发小型UV LED互联阵列。第一代UV LED像素直径为25微米，组成了10×10的阵列，提升了光输出功率，具有超高可靠性，并减少了电流拥挤，主要对标串联电阻和辅助电流扩展。
最近，该团队针对深紫外光源再次对这个结构进行研究，主要聚焦热阻抗以及像素尺寸对发射功率的影响。
据团队的发言人Richard Floyd透露，将深紫外LED的尺寸缩小到20微米以内不会增加大部分生产步骤的难度，也不需要专门的设备来完成。例如，研究团队在所有的光刻步骤中采用了标准的光阻剂光罩（Photoresist Masking）和Karl Suss MJB-3掩模对准器（Mask Aligner）。
不过，为了保证整个晶圆的均匀性，研究团队优化了20微米以下光刻曝光和显影时间，同时优化了p极欧姆接触退火条件。
研究团队将直径为90微米的单像素LED参照物与三个不同的阵列结构进行对比，分别是：36个直径为15微米的像素阵列、81个直径为10微米的像素阵列、324个直径为5微米的像素阵列，间隙均为5微米。
左：5微米互联像素阵列（像素间的间隙为5微米） 右：直流电流为60mA时的相同阵列（图片来源：南卡罗来纳大学） |
