研究人员发现一种可量化不同铟浓度下氮化铟镓(InGaN)量子阱中成分波动状况的

时间:2021-05-23作者:佚名

研究人员发现一种可量化不同铟浓度下氮化铟镓(InGaN)量子阱中成分波动状况的方法

(图片来源:MIT)

InGaN发光二极管(LED)以其高效、耐用、成本低的特点,给固态照明领域带来了革命性变化。通过改变InGaN化合物中的铟浓度,可以改变LED发出的光线颜色,有可能覆盖整个可见光光谱。在通信、工业和汽车应用方面,铟含量少于镓的InGaN LED,如蓝色、绿色和青色LED,获得了巨大的商业成功。然而,铟浓度较高的LED,如红色和琥珀色LED,其效率会随着铟含量的增加而下降。

由于效率下降,InGaN在红色和琥珀色光谱中性能较差。目前,红色和琥珀色LED用磷化铝铟镓(AlInGaP)材料代替InGaN制成。开发可覆盖整个可见光光谱的InGaN LED,能够大大降低生产成本。要做到这一点,首先要了解并克服效率下降的问题。

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