UCSB宣称已首次展示了尺寸小于10微米的InGaN基红光Micro LED芯片

提升外量子效率仍重道远

此前，具备InGaN基红光Micro LED芯片规模化量产能力的法国半导体材料商Soitec，在2020年发布了50微米的InGaN基红光Micro LED器件，不过，UCSB团队的发言人Shubhra Pasayat指出，Soitec并没有公布外量子效率的数据。

Pasayat表示，小于10微米的Micro LED对于Micro LED产业可行性商业化来说至关重要。同时，除了尺寸小之外，Micro LED芯片的外量子效率必须至少为2-5%，才能够满足Micro LED显示器的要求。

不过，本次UCSB展示的InGaN基红光Micro LED芯片外量子效率仅为0.2%。对此，Pasayat坦言，虽然目前团队的研究结果还远达不到目标，但是相关研究工作已进入初步阶段，并且可以预期未来将有实质性的进展。

UCSB团队的下一个目标就是提高红光Micro LED芯片的外量子效率，目前正在计划提升材料的质量，改善生产步骤。

InGaN材料应用前景可期

另值得注意的是，UCSB团队研究的是InGaN基红光Micro LED，而非AlGaInP基红光Micro LED，主要是因为后者的效率通常会随着尺寸的缩小而降低等问题。Pasayat透露，到目前为止，AlGaInP基红光Micro LED芯片最小尺寸为20微米，而外量子效率未知。