关乎UVC LED！研究发现蓝宝石衬底上生长高质量AIN薄膜的方法

据悉，研究者特意设计了一种生长改性工艺，将空隙引入AIN薄膜中以过滤位错和释放应力。据称，此方法可在平坦的蓝宝石衬底上生长出几乎无应力的AIN薄膜。

武汉大学工业科学研究院周圣军表示，由于新型冠状病毒疫情的持续传播，AlGaN（铝氮化镓）基UVC LED因其在消毒杀菌方面的应用潜力，关注度不断上升。在低成本的衬底上生长高质量AIN薄膜是实现高效的AlGaN基UVC LED商用化过程中面临的主要挑战。而武大研究者开发了一个低成本的方案，能在平坦的蓝宝石衬底上生长出高效的AIN薄膜。

据介绍，由于AIN与蓝宝石衬底之间的晶格常数和热膨胀系数匹配度很低，在蓝宝石衬底上生长AIN薄膜通常会出现晶体质量差、残余应力高等问题。研究者特意引入空隙，显著减少了潜在的位错。并且，作为额外的应力释放渠道，这些空隙不仅可以降低生长过程中开裂的风险，还能减少冷却后的压缩应力，从而实现在平坦的蓝宝石衬底上生长出几乎无应力的AIN薄膜。