美国新技术：可用于生长半导体石墨烯带及客製其能隙的

　　「我们已经找到一种方法可生长不到10nm宽的半导体石墨烯带，它具有扶手型边缘(armchair edge)，可经由控制纳米带宽度实现各种不同的能隙，」Arnold解释。

「扶手型边缘」石墨烯纳米带沉积于锗基板上的示意图

　　研究人员早已知道在石墨烯带利用扶手型边缘取代锯齿型边缘，可望为其打开能隙，使其从导体变成一种半导体。然而，时至今日，生长石墨烯最简单的方法是在铜金属上进行，然后再将其移植到硅基板上蚀刻成带状。Arnold的研究团队最主要的发现是能够直接在低成本的锗表面上更轻易地生长扶手型边缘的石墨烯带，从而使其成为一种较硅晶更快10倍的客製半导体。

沉积于锗基板的窄纳米带特写(虚线用于显示纳米带边缘)