央企背景！第三代半导体材料云南氮化镓微波功率器件公司控股权转让

1 氮化镓市场行业前景可期

2 以西安电子科技大学为技术平台，氮化镓技术核心专利

3 云南省昆明市滇中新区土地及建筑物

定义：是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件。

新型电子器件：GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。

光电器件：GaN材料系列是一种理想的短波长发光器件材料，GaN及其合金的带隙覆盖了从红色到紫外的光谱范围。

据前瞻产业研究院预测，全球GaN市场规模与材料渗透率都将持续上升。

从市场规模来看，2018-2020年全球氮化镓元器件市场规模逐渐扩大，其中2020年全球GaN器件市场规模达到了184亿美元，同比增长28.67%；

全球GaN元件市场规模预计2026年将增长到423亿美元，年均复合增长率约为13.5%。

从渗透率来看，当前半导体材料中硅（Si）的渗透率仍然占据领先地位，而GaN的渗透率处于起步阶段，从趋势来看，未来GaN的渗透率将会持续上升。与Si相比，GaN能够承受更高的电流与电压，有效降低产品的体积和重量。这些优势都会加速GaN的密集研发与技术应用。

氮化镓等第三代半导体材料对于国家的新能源汽车产业、5G通信产业、消费电子产业等诸多产业发展有着重要的影响。

云南某电子科技有限公司创建于2014年9月3日，央企背景，因氮化镓微波功率器件产业化项目应运而生，位于昆明滇中新区，整体占地150亩，是专业设计和生产微波、毫米波器件的高科技公司。

公司总资产约3.5亿元（含土地和专利无形资产）

实际到位资金（股东出资和政府补助）约1.8亿元，

无银行贷款或其它借款。

公司项目现处于主厂房主体已建、融资待建生产线状态。

项目一期150亩，将利用已有专利技术生产SiC基氮化镓外延片、军用雷达微波功率器件、通信用功率器件、GaN功放芯片及其他器件等产品。

项目一期鸟瞰图

项目一期投资120030万元，占地约150亩，拟建设科研综合大楼、生产厂房4栋、综合仓库、倒班房、废水处理等配套设施，建筑面积75138平米，计容面积100900.96平米，拟配置2条生产线，购置MOCVD外延设备、功率器件制造及测试分析设备231台（套），项目达产后年产军用雷达微波功率器件5万枚、5G通信用功率器件及其他器件6000万枚。

项目一期第一阶段计划总投资7.1亿元(固投5.2亿，包括已发生的150亩土地及场平、桩基、挡墙等已建设工程，截至2022年1月已发生费用约1.7亿元)，建设1座厂房（含装修）、所有基础设施、配套设施及1条生产线，建筑面积13016平米（计容面积20055平米）。购置MOCVD外延设备、功率器件制造及测试分析设备127台（套），项目达产后年产军用雷达微波功率器件2.5万枚、5G通信用功率器件及其他器件3000万枚。

第一阶段投产后根据市场及项目运营情况择机组织第二阶段项目建设。

1、土地资产优势：

现有云南省昆明市空港经济区大板桥街道长水社区出让工业用地150亩、科研综合大楼、生产厂房4栋、综合仓库、倒班房、废水处理等配套设施；

2、核心技术与高精尖人员：

公司以西安电子科技大学为技术平台，拥有GaN材料及微波功率器件完整、成套的核心专利31项及项目成果转让协议。在氮化物、砷化物等化合物半导体材料生长及微波功率器件设计、制造等具有完整成套技术的自主产权。其中三位专利核心发明人为公司股东。