ROHM确立栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT的量产体制

一般而言，GaN器件具有优异的低导通电阻和高速开关性能，因而作为有助于降低各种电源的功耗和实现外围元器件小型化的器件被寄予厚望。但其栅极耐压很低，在开关工作时的器件可靠性方面存在问题。针对这一课题，ROHM的新产品通过采用自有的结构，成功地将栅极-源极间额定电压从常规的6V提高到了8V。这样，在开关工作过程中即使产生了超过6V的过冲电压*3，器件也不会劣化，从而有助于提高电源电路的设计裕度和可靠性。此外，该系列产品采用支持大电流且具有出色散热性的通用型封装，这使得安装工序的操作更容易。

新产品于2022年3月起开始量产，前期工序的生产基地为ROHM Hamamatsu Co., Ltd.（日本滨松市），后期工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.（日本京都市）。

ROHM将有助于节能和小型化的GaN器件产品阵容命名为“EcoGaN™”，并一直致力于进一步提高器件的性能。今后，ROHM将继续开发融入了“Nano Pulse Control™”*4等模拟电源技术的控制IC及其模块，通过提供能够更大程度地发挥GaN器件性能的电源解决方案，为实现可持续发展社会贡献力量。

名古屋大学研究生院工学研究科 山本真义教授表示：“今年，日本经济产业省制定了到2030年新建数据中心节能30%的目标，目前距实现该目标只有不到10年的时间。然而，这些产品的性能不仅涉及到节能，还关系到作为社会基础设施的坚固性和稳定性。针对未来的这种社会需求，ROHM开发了新的GaN器件，不仅更加节能，而且栅极耐压还高达8V，可以确保坚固型和稳定性。以该系列产品为开端，ROHM通过融合其引以为豪的模拟电源技术‘Nano Pulse Control™’，不断提高各种电源的效率，在不久的将来，应该会掀起一场巨大技术浪潮，推进实现‘2040年在半导体和信息通信行业实现碳中和’的目标。”

＜开发背景＞

＜什么是EcoGaN™＞

＜新产品特点＞

1．采用ROHM自有结构，将栅极-源极间额定电压提高至8V

2．采用支持大电流且具有出色散热性的封装

＜应用示例＞

・数据中心和基站等的48V输入降压转换器电路
・基站功率放大器单元的升压转换器电路
・LiDAR驱动电路、便携式设备的无线充电电路
・D类音频放大器

＜电路示例＞

＜术语解说＞

*1) GaN HEMT
GaN（氮化镓）是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。与普通的半导体材料——硅相比，具有更优异的物理性能，目前利用其高频特性的应用已经开始增加。
HEMT是High Electron Mobility Transistor（高电子迁移率晶体管）的英文首字母缩写。

*2) 栅极-源极间额定电压（栅极耐压）
可以在栅极和源极之间施加的最大电压。工作所需的电压称为“驱动电压”，当施加了高于特定阈值的电压时，GaN HEMT将处于ON状态。

*3) 过冲电压
开关ON/OFF时产生超出规定电压值的电压。

*4) Nano Pulse Control™
一种超高速脉冲控制技术，在电源IC中实现纳秒（ns）级的开关导通时间（电源IC的控制脉冲宽度），使得以往必须由2枚以上电源IC完成的从高电压到低电压的电压转换工作，仅由“1枚电源IC”即可实现。

・Nano Pulse Control™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。