南科大深港微电子学院在宽禁带半导体器件领域取得系列研究进展
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高性能Ga2O3功率二极管制备方法 随着新能源汽车、高铁以及一些极端环境下应用的需求增加，对应相关领域电力系统的高压高功率、抗辐射耐高温的高性能半导体电子器件越来越受到关注。氧化镓（β-Ga2O3）具有超宽禁带宽度（~4.9 eV）、高击穿电场（～8 MV/cm）、高的热稳定性和化学稳定性等特点，并且可以通过经济高效的熔体法制备技术进行单晶生长，具有大规模低成本制造的潜力，被认为是未来支撑能源、信息、交通、制造等领域快速发展的新一代半导体材料。其中，二极整流管是体现Ga2O3优势的一个重要应用，于洪宇团队通过在Ga2O3二极管的肖特基界面插入一层铝反应层，提升了器件金属半导体界面的质量，取得了超低的亚阈值摆幅，降低了漏电，改善了器件的均一性和良率。
图1：Ga2O3功率二极管界面TEM图、EDS元素分析及其电学测试结果 相关成果以“Improvement of β-Ga2O3 MIS-SBD Interface Using Al-Reacted Interfacial Layer”为题发表于IEEE Transactions on Electron Devices，南科大微电子学院博士研究生何明浩为第一作者，该工作得到了广东省科学技术厅和深圳科技创新委员会的项目支持。 基于AlGaN/GaN HEMT器件的柴油发动机含碳燃烧颗粒物传感器 在内燃机中，碳氢燃料的燃烧会产生固体含碳颗粒物，造成大气污染，严重者会导致心肺及其他相关健康问题。于洪宇教授团队基于AlGaN/GaN HEMT器件开发了用于探测废气中污染微颗粒的PM传感器，传感器表面颗粒物吸收速率达到0.25 μg/min，在20秒后得到5.52%的响应以及4.44 mA的大信号波动，实现了快速响应时间，解决了传统水平插指电极（IDE）碳颗粒物传感器中普遍存在的死区时间问题。器件相应信号在颗粒物沉积10分钟后达到34.72%（27.94 mA）的峰值，并且在600 °C的空气环境中热再生后能够依旧运行。 相关成果以“Application of a gateless AlGaN/GaN HEMT sensor for diesel soot particulate detection”为题发表在Sensors and Actuators: B Chemical，南科大深港微电子学院研究助理教授Robert Sokolovskij为第一作者，本工作得到了广东省科学技术厅和深圳科技创新委员会的项目支持。
图2：PM传感器（a）器件横截面与（b）顶视示意图
图3：（a）无栅传感器输出曲线随颗粒物沉积时间变化；（b）和（c）为20秒沉积时间后的传感器表面SEM图；（e）PM沉积后和（f）600 °C热再生后的器件图。 具有片上光电探测器的GaN基白光发光二极管 李携曦课题组提出在GaN基外延芯片上集成光源和微型光电探测器，以监测发光强度变化，并通过覆盖荧光粉实现白光照明。通过理论仿真模拟，探究了探测器位置与探测效率的关系，并通过实验验证了模拟结果的准确性。与位于边缘的探测器相比，位于中心位置的设计可以实现58%的光强检测效率提升。研究还发现，片上探测器的探测能力与传统的外部光电探测器相当，其响应时间小于1μs。相关成果以“Phosphor-based InGaN/GaN White Light-Emitting Diodes With Monolithically Integrated Photodetectors”为题发表于IEEE Transactions on Electron Devices。论文第一作者为南科大深港微电子学院2021级博士生尹嘉豪。
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