外延生长|磊晶(epitaxial growth)

外延生长|磊晶的概念

在合适的衬底基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。用于制作没有杂质和缺陷的结晶层。包括在基片上与气体发生反应以积累结晶层的VPE(气相生长)法、以及与溶液相互接触以生长结晶相的LPE(液相生长)法等。

主流技术

蓝色LED、白色LED以及蓝紫色半导体激光器等GaN类发光元件一般采用VPE法之一的MOCVD(metal Organic Chemical Vapor Deposition)法进行生产。MOCVD采用有机金属气体等作为原料。蓝色LED在蓝宝石基片和SiC基片上，蓝紫色半导体激光器在GaN基片上使用MOCVD装置使得GaN类半导体层形成外延生长。