赛微电子青州氮化镓产线主厂房封顶

2022年5月18日，潍坊市青州市与北京赛微电子股份有限公司合作投建的“青州聚能国际硅基氮化镓功率器件半导体制造项目”举行主厂房封顶庆典，同时庆祝青州聚能国际半导体制造有限公司成立一周年。

第三代半导体氮化镓（GaN）属于国家鼓励发展的高新技术产业，同时也是国家“十四五”规划纲要中的科技前沿攻关领域，发展前景广阔。聚能国际硅基氮化镓功率器件半导体制造项目计划总投资10亿元，规划最终形成总体产能60,000片/年，一期产能30,000片/年。聚能国际一期产能建设投资5亿元，总规划占地面积40亩，建筑总面积约为1.3万平方米，其中生产净化车间建筑面积约为1万平方米。

2021年4月1日，“青州聚能国际硅基氮化镓功率器件半导体制造项目”签约仪式在赛微电子FAB厂区举行。潍坊市委副书记、市长刘运出席，他表示潍坊工业基础良好，产业门类齐全，拥有大批先进制造业企业，当前致力于打造国内高端制造业高地。潍坊将落实好服务企业专员制度，全力支持赛微电子青州项目做大做强。2021年9月3日，潍坊市人民政府出台了《潍坊市促进集成电路产业高质量发展的若干政策》，提出加快培育集成电路设计企业，推动芯片制造研发扩产，壮大集成电路封测产业规模，支持产业核心和关键技术攻关等，尤其强调支持第三代半导体、半导体材料以及集成电路设计等特色产业园区建设，同时为其产品生产，研发机构以及高端人才提供财政补贴。2022年5月18日，“青州聚能国际硅基氮化镓功率器件半导体制造项目”在各方的共同努力下完成主厂房的封顶建设。在主厂房封顶庆典上，聚能国际首席运营官王永海表示，我们目前已完成基建施工和主体厂房封顶，下一阶段启动建设洁净室机电工程，计划在今年10月开始搬入设备，争取在今年内完成设备的安装与调试。

赛微电子于2018年7月投资设立聚能创芯，主要从事功率与微波器件，尤其是氮化镓(GaN)功率与微波器件的设计、开发；于2018年6月投资设立聚能晶源，主要从事半导体材料，尤其是氮化镓(GaN)外延材料的设计、开发、生产;作为公司GaN业务一级平台公司，聚能创芯汇聚了业界领先团队，拥有第三代半导体材料生长、工艺制造、器件设计等全产业链技术能力及储备，且截至目前在6-8英寸硅基GaN外延晶圆、GaN功率器件及应用方面已形成系列产品。

鉴于GaN(氮化镓)业务市场需求旺盛、自主研制产品性能优异，但却严重受制于外部不可控产能的实际情况，赛微电子与潍坊市青州市政府合作投建此条硅基氮化镓制造产线，有利于赛微电子进一步完善GaN业务的全产业链IDM布局。在现有产业链合作基础上进一步加强产能保障，把握GaN业务发展的关键机遇窗口，逐步形成自主可控、全本土化、可持续拓展的GaN材料、设计、制造能力，促进第三代半导体业务的长远发展。

北京赛微电子股份有限公司以半导体业务为核心，面向物联网与人工智能时代，同时布局并大力发展MEMS与GaN业务，目前已在国内外拥有多座中试平台及量产工厂，服务客户包括国际知名的DNA/RNA测序仪、光刻机、计算机网络及系统、硅光子、红外、可穿戴设备、新型医疗设备、汽车电子等巨头厂商以及细分行业的领先企业，涉及产品范围覆盖了通讯、生物医疗、工业汽车、消费电子等诸多领域，致力于成为一家国际化的知名半导体科技企业集团。