赛微电子青州聚能国际硅基氮化镓功率器件半导体制造项目主厂房封顶

日前，赛微电子官微表示，公司与潍坊市青州市合作投建的“青州聚能国际硅基氮化镓功率器件半导体制造项目”主厂房封顶。该项目于去年4月1日签约。

图片来源：赛微电子

据官微介绍，聚能国际硅基氮化镓功率器件半导体制造项目计划总投资10亿元，规划最终形成总体产能6万片/年，一期产能3万片/年。聚能国际一期产能建设投资5亿元，总规划占地面积40亩，建筑总面积约为1.3万平方米，其中生产净化车间建筑面积约为1万平方米。

聚能国际首席运营官王永海表示，目前已完成基建施工和主体厂房封顶，下一阶段启动建设洁净室机电工程，计划在今年10月开始搬入设备，争取在今年内完成设备的安装与调试。

据了解，赛微电子于2018年7月投资设立聚能创芯，主要从事功率与微波器件，尤其是氮化镓（GaN）功率与微波器件的设计、开发；于2018年6月投资设立聚能晶源，主要从事半导体材料，尤其是氮化镓（GaN）外延材料的设计、开发、生产。截至目前，作为赛微电子GaN业务一级平台公司，聚能创芯在6-8英寸硅基GaN外延晶圆、GaN功率器件及应用方面已形成系列产品。