30亿元投建汽车级功率模块，第三代半导体大时代开启

　　以碳化硅、氮化镓为代表的的第三代半导体正迎来巨大的市场机会。

　　6月13日晚间，士兰微发布公告称，公司第七届董事会第三十五次会议审议通过了《关于成都士兰投资建设项目的议案》。

　　据了解，士兰微拟通过控股子公司成都士兰半导体制造有限公司投资建设“年产720万块汽车级功率模块封装项目”。该项目总投资为30亿元，资金来源为企业自筹。项目建设周期为3年。

　　在此前披露的2021年年度报告中，士兰微就透露，2021年，基于公司自主研发的V代IGBT和FRD芯片的电动汽车主电机驱动模块，已在国内多家客户通过测试，并已在部分客户批量供货。目前公司正在加快汽车级和工业级功率模块产能的建设，预计今后公司PIM模块的营业收入将快速成长。

　　受益于新能源汽车、光伏储能、智能电网、工业自动化等下游应用市场需求的多点爆发，功率半导体市场正迎来了新一轮的高景气周期。

　　目前碳化硅已被应用至汽车主驱逆变器、OBC、DC-DC等组件中，其中主驱逆变器是碳化硅核心所在。

　　目前LED领域包括三安光电、华灿光电、乾照光电、兆元光电、国星光电等也都瞄准了日益增长的碳化硅和氮化镓市场。

　　此前，国星光电与华为达成了全面合作协议，双方拟共建联合创新中心，就Mini/Micro LED、功率器件等光电半导体及功率半导体领域多个利基细分领域展开全方位、深度的合作。

　　华灿光电、兆元光电则在氮化镓器件市场重点发力。

　　华灿光电依托LED芯片在GaN材料与器件领域十几年的技术积累，拥有高水平的GaN器件开发团队、GaN器件工艺技术及研发阶段的设备基础。

　　华灿光电于2020年开始进入GaN电力电子器件领域，产品主要面向移动消费电子终端快速充电器、其他电源设备、云计算大数据服务器中心、通信及汽车应用等领域。目前GaN电力电子器件外延片已达到国内先进水平，芯片相关工艺完成阶段性开发，6英寸硅基GaN电力电子器件工艺已通线，100mm栅宽D-Mode器件静态参数对标国际市场已达标。市场方面，已与多个终端客户公司开展GaN电力电子器件等应用领域的合作。

　　乾照光电积极开拓VCSEL激光芯片业务，与海内外多家客户建立起稳定的合作关系。除了3D结构光通过主流刷脸体系的认证，在品牌客户终端，接近光传感也取得重要进展，新增多种种VCSEL新品通过可靠性验证进入量产。