至芯半导体日盲深紫外器件芯片发射功率取得突破

时间:2022-07-05作者:佚名

  近日,至芯半导体(杭州)有限公司(以下简称至芯半导体)对外公布,在日盲深紫外器件方面取得突破,单颗45mil*45mil芯片的发射功率达到了210mW。

至芯半导体日盲深紫外器件芯片发射功率取得突破
至芯半导体日盲深紫外器件芯片发射功率取得突破

  据了解,该大功率紫外器件,经权威第三方检测机构检测,在注入电流500mA的条件下,峰值波长271nm,输出光功率达到209.59mW,因此UVC芯片在杀菌效率方面达到新的高度。

  成立之初获木林森青睐

  据公开资料显示,至芯半导体除了雄厚的海外专家团队,在成立之初即受到上市公司木林森和步步高投资集团等股东青睐,不仅在资金方面给予大力支持,同时在产业协同方面也给予极大赋能。

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