Micro LED新进度 国星光电推出新型MIP封装器件方案

LED超高清显示

在国家政策的大力推进下，5G 4K/8K全面开启了万物互联时代，给各行各业带来了众多机遇和挑战。其中，Micro LED显示技术也迎来了蓬勃的发展，但如何让技术实现成果转化，在市场上占有一席之地，关键还在于如何平衡产品性能与成本的关系。

Micro LED凭借低能耗、高亮度、高对比度及高可靠性的特性，满足了各种像素密度和各种尺寸显示的需求，如AR/VR、智能手表、大屏电视等。随着LED芯片面积不断减小，单位面积晶圆利用率大幅提高，也意味着LED芯片成本不断下降。

经对比，单片4寸晶圆可以生产约350K数量的0408（4mil*8mil）芯片，当芯片面积尺寸缩小至0204（2mil*4mil）时，同样的晶圆面积下大约可产出1400K数量的芯片，这使得单个芯片成本下降60%以上。

Micro LED凭借多项优势特点，正逐步展现其巨大应用潜力，成为最佳新型高清显示方案，势必为整个产业链带来腾飞的东风。

作为LED封装技术创新领跑者，国星光电不遗余力进行产品创新，依托成熟而强大的生产制造工艺体系，推出新型MIP封装器件方案。

关于MIP

MIP(Micro LED in Package)是一种基于Micro LED的新型封装架构，其脱胎于久经历练的王牌小间距显示产品，可谓是Micro LED和分立器件的有机结合，也是国星光电将Micro LED产品快速切入新型显示市场的一把利刃。基于扇出封装技术思路，国星光电通过自主开发的巨量转移方法，采用黑化基板与高光提取封装路线构筑全新MIP器件，大幅提高器件光电性能，通过将引脚电极放大，使其匹配当前机台设备。因此，除了前述成本优势外，MIP还具有高亮度、低功耗、兼容性强、可混BIN提高显示一致性等优点。

MIP封装架构的实现流程

MIP显示模组性能与应用优势特点