方志烈：LED四十载功名尘与土
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“我做了一辈子LED，看着LED在中国成长，能够看到LED产业现在的蓬勃发展态势，是一件非常高兴的事……”在接受记者采访时，方志烈教授感慨道。
方志烈教授被誉为中国LED元老、启蒙者之一。虽已年逾古稀，但依然活跃在LED产业、为中国LED产业提供前沿科研成果作出卓越贡献。
作为一位科学研究人员，他从上个世纪70年代就开始拓荒中国LED产业，从前端的半导体LED材料、器件的研究，到LED交通信号灯、LED灯泡、LED日光灯的研制，横跨四十载。
作为一名人民教师，他桃李满天下，著述等身。由他培养的多名研究生现都已成为半导体领域的技术骨干;由他撰写的多本著作都成为后继者进入半导体照明领域的“入门宝典”。
科学研究人员与人民教师的双重身份塑造了他“高调做事，低调做人。实事求是，为人师表。严于律己、热情待人。有问必答、乐于助人”的做人做事准则，这些准则也让他成为一位在业界受欢迎的人。
拓荒LED
方志烈教授与LED近四十载的缘分还得从1969年从事微波材料和器件的研发叙起。
1969年，在复旦大学任教的方志烈及其近30人的团队接到了开发化合物半导体、微波材料与器件的研究任务。这项任务需要从砷化镓的原材料开始，提纯到6个9的纯度，然后拉单晶，这对他们来说是一项庞大而又艰巨的任务。但全体人员经过三年齐心合力的努力后，终于攻克难关，研究出了部队所需的产品。
然而在当时，这种产品在市场上并没有销路，眼看着几十人的团队需要寻找新的研究和发展方向。方志烈作为主要技术负责人，注意到了国际上LED产业刚刚启动的发展情况，认为“LED应该会有比较好的前景，团队可以在这方面为国家做点贡献。”与团队人员进行讨论后，决定开始切入LED。
LED原材料也为砷化镓，所以方志烈及其团队最早开始研究外延生长。方志烈团队在微波器件材料外延的基础上进行创新，采用磷压法气相外延生长磷砷化镓，取代当时比较落后的水汽法。这种方法被当时的北京崇文光电器件厂和苏州半导体器件总厂等生产厂家采用，成为国内外延生长的主要方法。
方志烈及其团队也进行外延和器件的产业化生产。“当时，全国年产LED100万只，复旦大学生产10万只，占十分之一。”由于器件亮度较高，他们的产品得到了市场认可，被以每只加价两角的价格购买。“产品质量获得认可，还有较好的经济效益，当时整个团队的人都非常高兴。”
此后，方志烈及其团队就一直在发光二极管的产业链上进行研究。他们不仅在器件、材料方面进行攻关，而且测试方法上也进行了创新，例如团队里一名教师发明了快捷而又精确的激光定向仪。在测试技术上也进行改进，例如在测试半导体材料纵向浓度方面研发了二次谐波测试仪，填补了国内的空白;在测磷砷化镓中的磷含量方面，发明了光电压光谱法取代以前落后的X光测磷含量……
1977年4月，在柳州召开的“全国化合物半导体学术会议”上，方志烈及其团队的研究成果得到了集中展示。“一本78篇文章的论文集，其中有8篇论文来自我们团队。”他们研发的大直径(50毫米)、低位错砷化镓单晶在会议现场就被中科院北京半导体研究所的科技人员购下。
“这些成果的取得都证明我们当时选择LED是对的。团队成员通过做一些工作既对国家做了贡献，自己也得到了锻炼和提高。”方志烈说，1973年至1977年这段时间的工作，为自己后来进一步研究LED奠定了坚实的基础。
尽管在20世纪70年代也有不少单位，如中科院上海冶金研究所、北京有色金属研究院、浙江大学、厦门大学等都在LED方面展开了研究，学术界呈现出一片热闹的景象。“但很少有单位一直不断研究，能够在这个领域做到现在，看到LED产业蓬勃发展，非常幸运。”
一生追求卓越
1998年，方志烈教授正式退休。那一年，国际上很多国家已经部署了LED在照明方面的研究。一位美国专家指出：“半导体已在电子学方面完成了一次很好的革命，第二次革命将在照明领域。”
“这让我看到了新的希望，当时就把注意力放到了这方面。”1998年，方志烈教授欣然接受复旦大学电光源研究所的邀请，开始学习照明知识并研究半导体照明。“在复旦大学电光源所工作的时间里，学习了大量的照明知识并完成了两个科研项目。”
当时，方志烈教授就深刻意识到，半导体照明要发展起来，最好是将搞传统照明的人与搞LED的人结合起来，“搞传统照明的学习一点LED知识，搞LED的人学习一点传统照明知识。”但在当时，由于LED功能照明应用尚未展开，这两部分人结合还有困难。
两年后方志烈教授转到生产第一线，为企业当技术顾问。
尽管如此，方志烈教授对开发半导体照明科研项目的热情丝毫不减。“选择科研项目时我会比较慎重，但选中之后会锲而不舍。”以谨慎认真的态度，方志烈教授在退休后的近八年时间里，参与完成了半导体照明方面的三个科技部863项目、一个科技部中小型企业创新基金课题、市级与省级课题四个。
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