第三代半导体半年追踪：落地项目已近百亿元，衬底技术取得新进展

在汽车电子、消费电子等多领域驱动下，第三代半导体产业已于2021年驶入发展“快车道”。步入2022年，国内第三代半导体项目依然动态频频，持续为产业发展提供新动能。

统计数据显示，2022上半年，已有超7个第三代半导体项目落地，部分碳化硅企业取得重要进展，产学研合作持续加深。

今年上半年，落地的第三代半导体项目中投资额最大为60亿元——同芯第三代半导体产业园项目。该项目投产后将建设年产2.5万颗六英寸碳化硅晶锭及相关延链产品的生产线，为汽车、轨道客车、光学设备等产业产品配套打下基础。

从投资额来看，上半年落地项目总投资额已近百亿元，此外，除项目签约落地以外，福州高意、芯粤能等企业项目也已取得顺利进展，进一步为我国碳化硅衬底产能贡献力量。

今年4月，福州高意首条第三代半导体碳化硅晶圆基片生产线进入规模量产，首条碳化硅生产线量产后，第二条、第三条生产线也在加快建设，到明年底，福州高意碳化硅基片产能有望突破50万片。

此外，天达晶阳碳化硅晶片项目也计划再投资7.31亿元，建设（拥有）400台套完整（设备）的碳化硅晶体生产线。届时，4-8英寸碳化硅晶片的年产能将达到12万片。

今年5月17日，广东芯粤能碳化硅芯片制造项目主体工程封顶。芯粤能碳化硅芯片项目总投资75亿元人民币，占地150亩。一期投资35亿元，建成年产24万片6英寸碳化硅晶圆的生产线；二期建设年产24万片8英寸碳化硅晶圆芯片的生产线。

从技术角度而言，我国企业纷纷布局第三代半导体碳化硅领域，全国碳化硅衬底产能也逐渐攀升，随着碳化硅衬底成本逐年降低，有望进一步促进三代半市场发展。

一直以来，衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节，也是碳化硅规模产业化推进的核心。目前，国际上碳化硅主流已发展至6英寸，碳化硅龙头企业Wolfspeed已率先展开8英寸碳化硅衬底生产，此外，II-IV在2015年制备成功8英寸SiC样片，罗姆和意法半导体也分别宣布拥有8英寸衬底制作技术。

伴随我国政策支持，以及科研机构、相关企业的共同发力，今年以来，我国在碳化硅衬底也取得了新的技术突破。

碳化硅衬底主要有2大类型：半绝缘型和导电型。在半绝缘型碳化硅市场，目前主流的衬底产品规格为4 英寸。在导电型碳化硅市场，目前主流的衬底产品规格为 6 英寸。

烁科晶体此前宣布，公司已于2022年1月实现8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产，向8英寸国产N型碳化硅抛光片的批量化生产迈出关键一步。去年8月，烁科晶体已研制出8英寸碳化硅晶体，解决大尺寸单晶制备的重要难题。

6月17日，科友半导体宣布，以其自主设备和技术研发的6英寸SiC晶体在厚度上实现突破，达到32.146mm，业内领先。此外，其自主研发的SiC长晶炉（感应）已有99%的部件实现国产替代。

在设备领域，今年4月季华实验室宣布，6英寸SiC高温外延装备研制成功，整机国产化率超过85%。

一直以来，“产学研用”为国内碳化硅衬底发展的重要推进动力。国内高校和科研单位对 SiC 单晶的研究始发于2000 年前后，主要包括中科院物理所、山东大学、上海硅酸盐所、 中电集团 46 所等。孕育出天科合达、天岳先进等国内碳化硅衬底领先企业。

此前，科技部围绕国家重大区域发展战略部署，在全国布局国家第三代半导体技术创新中心深圳、南京、苏州、北京、山西、湖南6个分中心，山西平台作为国创中心六大平台的重要一环，对建立健全国家半导体技术创新体系，推动山西省半导体产业发展具有重要作用。

今年上半年，山西、苏州的国家第三代半导体技术创新也迎来了新动作。

6月，山西省发改委公布2022年省定省管重点工程项目情况，其中包括国家第三代半导体技术创新中心。国家第三代半导体技术创新中心（山西）由中国电子科技集团公司第二研究所（简称“中国电科二所”）牵头，联合省内优势研发和创新机构形成创新联合体。2022年计划投资7.37亿元。通过揭榜挂帅机制在所内开展了8个重点项目攻关，并取得了突破性进展。

6月，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）也面向关键技术攻关方向，新启动共建8家联合研发中心，包括氮化镓同质外延技术联合研发中心、氮化镓功率微波技术联合研发中心、微显示巨集成技术联合研发中心、硅基氮化镓材料联合研发中心、宽带通信滤波器芯片技术联合研发中心、碳化硅车用大功率MOSFET芯片技术联合研发中心、微显示LED技术联合研发中心、超高分辨率Micro-LED显示技术联合研发中心。

此外，7月4日苏州车规半导体产业技术研究所揭牌启动。目前研究所设有车用芯片先进封装研究中心、车用智能交互照明系统技术研究中心和氮化镓高功率模块技术研究中心3个研究方向


来源：集微网