国联万众发布研发项目环评报告表 碳化硅高压功率模块研发项目预计明年1月开

根据环评报告表，国联万众碳化硅高压功率模块关键技术研发项目，为第三代半导体材料及应用联合创新基地扩建项目，总投资额31302.34万元，用地3000平方米，主要研发 3300VMOSFET 芯片及3300V 高压功率模块封装技术，预计将于2023年1月开工，建设周期为五年。

目前，该公司第三代半导体材料及应用联合创新基地项目（一期）为在建项目，主要进行第三代半导体材料研发及制造生产、第三代半导体材料及器件的生产。