清纯半导体推出车用SiC MOSFET产品，通过车企和Tier1厂商测试

S1M014120H主要静态参数与国际一流产品(源于各产品规格书)对比如下表所示：

对比看出，S1M014120H可以在更大的栅极驱动电压范围内工作，以适应不同驱动电路的开发需求。其最高允许工作结温为175℃，进一步提升器件的载流能力，有助于实现更高的功率密度，其静态参数达到国际一流水平。

同时，清纯半导体与国内领先的功率模块供应商紧密合作，根据新能源汽车电驱动系统的具体需求(1200V/800A)，对采用S1M014120H和国际主流厂家同规格SiC芯片制造的多芯片并联功率模块在常温及高温的开关性能做了详细表征，采用S1M014120H制造的模块的常温和高温情况下关断和导通特性如下图所示：

与采用国际主流芯片制造的模块测试结果对比，采用S1M014120H的模块呈现波形平滑、高频振荡阻尼效应突出、开关能量低的特点，更加适合电机控制器与充电模块这类对效率及电磁兼容性有更高要求的应用。在开关波形特性及能量损耗方面，清纯半导体推出的S1M014120H已具备国际一流水平。

清纯半导体凭借雄厚的技术实力，不断取得SiC MOSFET研发及产品应用的突破，4月量产首款国产15V驱动SiC MOSFET，8月推出国内最低导通电阻的1200V/14mΩ SiC MOSFET，目前不同规格的SiC MOSFET产品已规模应用到光伏、电源和OBC领域。公司不但始终瞄准国际技术前沿，更是注重产品质量控制，建有完整的质量控制体系和可靠性实验室，1200V量产SiC MOSFET 系列产品已通过AEC-Q101测试，新研发产品可靠性测试均顺利进行中。

自我国确立“双碳”目标以来，新能源产业步入跨越式发展阶段，这为以碳化硅为代表的第三代半导体产业爆发提供了宝贵的历史机遇。我国拥有全球最大的电动车市场，由于碳化硅功率器件可明显提升新能源汽车的功率密度、能效和续航里程，预计2～3年后SiC MOSFET将广泛应用于新能源车主驱。性能与可靠性比肩国际主流产品，且能够适用于电动车主驱的低导通电阻国产SiC MOSFET芯片将成为行业的迫切需求，市场潜力巨大。清纯半导体已从技术研发、产品量产、质量管控、产能供应等方面做好全方位准备，致力推动SiC MOSFET国产化，支撑我国新能源汽车快速发展，助力国家实现“双碳”战略的宏伟目标。