聚焦第三代半导体，东莞发布产业集群行动计划

　　近日，东莞市发改委正式发布《东莞市发展半导体及集成电路战略性新兴产业集群行动计划(2022-2025年)》(以下简称“计划”)。

　　到2025年，东莞市集成电路产业营业收入超800亿元，力争达到1000亿元，并建成华南地区第三代半导体材料及应用创新重要基地，并在封装测试、芯片设计和第三代半导体等细分领域实现国产化替代等具体目标。

图片来源：东莞市发改委

　　近年来，东莞在集成电路研发设计、封装测试和第三代半导体等领域集聚了一批企业，形成了一定的产业规模。

　　目前全市拥有涉及半导体及集成电路研发、生产与销售的企业257家，大多集中在封装测试和研发设计环节，2021年实现主营业务收入约256亿元，其中上市企业4家。

　　2025年，东莞的四大目标

　　《计划》中，东莞是提出了到2025的四大目标。

　　1、到2025年，东莞市集成电路产业营业收入超800亿元，力争达到1000亿元，年均增速超过25%;

　　2、东莞市第三代半导体产业将具有全国竞争力，建成华南地区第三代半导体材料及应用创新重要基地，基本形成碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)衬底和外延材料、芯片/器件、应用的完整产业链;

　　3、企业创新研发投入占销售收入比重超过5%，自主研发和引进消化吸收一批关键核心技术，在封装测试、芯片设计和第三代半导体等细分领域实现国产化替代;

　　组建一批高水准的企业研发中心，第三代半导体和集成电路技术创新平台、产学研合作平台等达到3个以上;

　　加快集聚创新人才，引进和培养第三代半导体和集成电路领军人才30人以上、领军团队10个以上;

　　4、基本建成配套设施齐全、服务功能完善、规模效应明显、上下游紧密配合的集成电路产业集聚区。集成电路专业公共服务平台数量达到3个以上。

　　积极推动第三代半导体的发展

　　《计划》中提出，将第三代半导体突破工程作为重点，积极推动氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、图形化蓝宝石(PSS)等第三代半导体材料在衬底、外延、器件、制备设备等方面的研发、产业转化，加快第三代半导体芯片应用推广。

　　重点发展应用于新能源汽车、智能电网、智慧电源等领域的中高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(大功率绝缘栅双极型晶体管)等SiC电子电力器件;应用于5G通信的GaN高功率射频器件、GaN功率放大器、GaN微波集成电路芯片等GaN微波射频器件;应用于新型显示Mini/Micro-LED、激光器等领域的GaN光电器件。

　　推动建设4-8英寸SiC和GaN衬底、外延及芯片/器件生产线，打通SiC/GaN材料-SiC/GaN芯片/器件-SiC/GaN应用的完整产业链，加快实现进口替代。

　　材料及关键电子元器件补链工程方面，大力引进技术领先的第三代半导体IDM企业，支持建设射频、传感器、电力电子等器件生产线，形成配套材料和封装能力。

　　特种装备及零部件配套工程方面，大力引进国内外沉积设备、刻蚀设备、等离子清洗机、薄膜制备设备、第三代半导体设备等领域的龙头企业。

　　对于重点发展的第三代半导体、集成电路制造和封装测试等领域项目，积极争取列入省重点建设项目计划，获得省先进制造业政策支持。

来源：化合物半导体市场