湖南三安发布最新1200V碳化硅MOSFET系列，包含1200V 80mΩ/20mΩ/16mΩ

9月2日，湖南三安发布了最新的1200V碳化硅MOSFET系列，包含1200V 80mΩ/20mΩ/16mΩ，均来自湖南三安六寸全链整合平台。本次发布的碳化硅MOSFET系列旨在2023年实现整车和新能源汽车零部件的全面突破。今年8月，湖南三安与理想汽车合资打造碳化硅功率半导体研发和生产基地在江苏苏州启动建设，建成后将有助于芯片制造与整车应用的全链打通。