金刚石在器件散热应用中的研究动态几则

日本国立物质材料研究所：金刚石作为散热材料在氮化镓基电子器件中的应用

近年来，随着氮化镓（GaN）基微波功率器件输出功率的提高及器件尺寸的缩小，散热问题已成为制约其可靠性和稳定性的重要因素之一。在目前所知的天然物质中，金刚石具有最高的热导率，是制备GaN基电子器件不可或缺的散热材料，在高频高功率AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的散热方面极有应用潜力。

实现GaN-on-diamond结构主要有以下3种途径：1，键合法；2，在GaN外延层或HEMT器件上外延生长金刚石；3，在金刚石衬底上外延生长GaN器件。由于GaN和金刚石之间具有较大的晶格失配和热失配，这3种方法制备的GaN-on-diamond都面临应力大、界面粗糙和热边界电阻大等问题。其中，界面热阻的存在，使得热量集中在GaN和金刚石的界面，极大影响了器件的可靠性。

用于HEMTs器件的氮化镓/金刚石晶圆

日本国立物质材料研究所桑立雯研究员团队总结不同方法所制备的GaN-on-Diamond结构，以及其对器件性能的影响，详细介绍不同制备方法测量得到的界面热阻，同时提出解决思路。相关的成果以“Diamond as the heat spreader for the thermal dissipation of GaN-based electronic devices ”为题，发表在Functional Diamond 杂志上。

原文信息

https://doi.org/10.1080/26941112.2021.1980356

大阪市立大等实现GaN与金刚石的直接键合，有望解决半导体发热问题

大阪市立大学梁剑波副教授和重川直辉教授、东北大学金属材料研究所的大野裕副教授、永井康介教授和清水康雄博士（现国立研究开发法人物质材料研究机构，简称NIMS）、佐贺大学理工学部的嘉数诚教授以及“Adamant并木精密宝石”公司的金圣祐博士等人组成的研究团队成功实现了氮化镓（GaN）与金刚石的直接键合。GaN元件的性能受发热限制是一直存在的缺点，但通过键合地球上导热率最高的金刚石，可以将GaN晶体管的温升控制在以往的四分之一左右。相关成果已经发布于ADVANCED MATERIALS的在线版。