场效应管的分类，场效应三极管的型号命名方法

有关场效应管的小知识，介绍了场效应管的分类，场效应管分结型、绝缘栅型两大类，以及场效应三极管的型号命名方法，场效应管的主要参数，最后介绍了场效应管的作用，有需要的朋友参考下。

场效应管分结型、绝缘栅型两大类，结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）因栅极与其它电极完全绝缘而得名。

在绝缘栅型场效应管中，MOS场效应管应用最广泛，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；另外，还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及πMOS场效应管、VMOS功率模块等。

按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。按导电方式来划分，场效应管分为耗尽型与增强型二种类型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型，也有增强型。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管分为N沟耗尽型和增强型，P沟耗尽型和增强型四大类。

如图所示：

目前，有两种命名方法，第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如：3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。

场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但使用时一般需要关注以下主要参数：

1、I DSS—饱和漏源电流：指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压U GS=0时的漏源电流。