世纪金光总投资35亿元的碳化硅芯片项目签约金华
时间：2021-07-20作者：佚名
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7月18日，在“2021上海·金华周”开幕式上，16个项目集中签约，包括总投资35亿元的世纪金光第三代半导体碳化硅芯片项目。 年产22万片SiC，产值达40亿! 据悉，世纪金光第三代半导体碳化硅芯片项目总投资35亿元，建设年产22万片6~8英寸碳化硅芯片生产线，项目分三期完成建设，三期项目全部达产后可实现年产值约40亿元。项目建成后将助推上下游关联产业的发展，预计可带动上下游产业近千亿产值。 世纪金光在SiC领域的发展历程 2015年，第一款SiC SBD研制成功，开始SiC全产业链工业生产线建设 2016年，第一款SiC MOSFET器件研发成功 2017年，获得国家集成电路产业投资基金投资，“企业研发中心”获批“第三代半导体功率器件设计与验证北京市工程实验室” SiC从粉料到功率器件产业链建成并投产 |
