《Journal of Luminescence》:基于四元量子点的发光二极管
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论文链接:
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231321001411
量子点的合成对于制备由二元、三元、四元或四元化合物半导体或核/壳形成构型组成的无机纳米异质结构至关重要。电子和空穴的空间分离减少了交换作用,降低了辐射复合速率。因此,设计量子点的表面是器件设计的前提,在器件设计中,有效的电致发光需要具有高光致发光量子产率的量子点。不同的研究小组报道了系量子点的合成和表征。四元量子点是提高发光二极管效率的极佳候选者。第四代量子点通过限制核心电子和改变形成壳层的化合物,增加了复合的几率,从而明显改善了发光。其他重要的参数是由于发射光谱较窄而产生的颜色纯度,以及通过调整颗粒大小和成分来调节颜色。最近,基于量子点(QDs)的发光二极管(LED)被报道。
2013年,报道了CdSe/CdS核壳量子点的合成,并利用倒置结构制备了电流效率为19CdA 1的红色发光二极管。量子点发光二极管(QD-LED)变得与需要高亮度和高颜色纯度的应用相关。量子点发光二极管需要使用复杂的量子点,如CdSe/ZnS和CdSe/CdS,它们是核心/外壳量子点。这种类型的量子点具有10000cdm 2以上的亮度和高的颜色纯度。另外一种类型的量子点是四元量子点,例如在紫外光中具有高效率和发光的构型InAlGaN量子点。 |







