2022化合物半导体器件与封装技术论坛将于10月13-14日在深圳召开

以碳化硅、氮化镓、砷化镓和磷化铟为代表的化合物半导体材料，相比第一代单质半导体，在高频性能、高温性能方面优异很多，发展前景广阔。其中，以GaN、SiC为代表的半导体材料由于具备禁带宽度大、临界电场高、电子饱和速率高等优势，被广泛应用到汽车电力电子、5G射频、光通信和探测器等领域。

　　随着化合物半导体器件的日益普及和广泛应用，化合物半导体封装和模块将向着低损耗、低感量、高功率密度、高散热性能、高集成度、多功能等方向发展，未来将衍生出与硅基封装技术和产品形式不同的发展路线，先进封装材料、可靠性技术都在不断的发展提升。

　　封装是功率半导体产业链中不可或缺的一环，主要起着安放、固定、密封、保护芯片，以及确保电路性能和热性能等作用。采用合理的封装结构、合适的封装材料，以及先进的封装工艺技术，可以获得良好的散热性能，确保高电压、大电流的功率器件的正常使用，并能在工作环境下稳定可靠地工作。此外，封装对于功率器件乃至整个系统的小型化、高度集成化及多功能化起着关键的作用。为了提高功率半导体器件的性能，必然会对封装提出更高的要求。

时间

议题

10月13日

09:00-09:55

签到

09:55-10:00

嘉宾致辞

10:00-10:20

化合物半导体功率器件及封装技术现在及应用分析

10:20-10:40

内绝缘TO-220封装碳化硅肖特基二级管技术

10:40-11:00

氮化镓微波功率器件的研究与应用

11:00-11:20

单双面银烧结技术在SIC功率模块封装中的应用

11:20-11:40

GaN高电子迁移率晶体管技术

11:40-12:00

SiC MOSFET结温检测方法研究

12:00-13:30

展区参观、交流，午餐

13:30-13:50

VCSEL器件技术进展及其在数据中心与汽车激光雷达中的应用

13:50-14:10